각주

[카테고리:] 특허

  • 중간층을 ITO 대신 도핑 비정질 실리콘으로 바꾼 탠덤 태양전지, 특허 표에서는 25.2%→29.1%

    페로브스카이트와 실리콘 셀을 잇는 중간층을 투명전극(ITO) 대신 고농도 도핑 비정질 실리콘 두 층으로 바꾸자, 특허 문서 안의 비교표에서 변환효율이 24.8~25.2%에서 27.8~29.1%로 올라갔다고 적혀 있다. 2025년 2월 25일 미국에서 등록된 중국 출원인의 특허 US 12,238,946 B2 이야기다. 탠덤 태양전지는 "두 셀을 어떻게 잇느냐"가 효율과 공정비를 함께 좌우하는데, 이 문서는 그 접합부만 바꾼 실시예와 비교예를 나란히 표로 보여주기 때문에 숫자를 대조하기 좋은 자료다.

    원자료 제원

    항목

    내용

    자료

    US 12,238,946 B2 「Perovskite/silicon heterojunction tandem solar cell and preparation method thereof」 (공개공보 US 2024/0244853 A1)

    발행

    미국 특허상표청(USPTO), 등록 2025년 2월 25일 (공개 2024년 7월 18일)

    지위

    등록 특허. 출원 2023년 3월 15일(PCT/CN2023/081524), 우선일 2022년 3월 29일

    대상

    청구항 4개, 실시예 4건, 비교예 2건. 출원인 Advanced Solar Technology Institute Xuancheng(중국 쉬안청)

    기간

    우선일 2022년 3월 29일 ~ 등록 2025년 2월 25일. 만료 예정 2043년 3월 15일

    방법

    구글 페이턴트 영문 전문에서 청구항·배경·실시예·표 1을 읽고 수치를 대조

    무엇이 문제였다고 쓰는가

    배경 부분은 기존 2단자 페로브스카이트/헤테로접합 실리콘 탠덤 셀이 보통 투명 금속산화물 도전층을 중간층으로 쓴다고 설명한다. 문서가 지적하는 단점은 두 가지다. 하나는 장비와 공정비가 늘어난다는 것, 다른 하나는 "금속산화물의 근적외선 흡수가 상대적으로 커서 실리콘 셀의 광전류에 영향을 준다"는 것이다. 아래 실리콘 셀은 근적외선으로 발전하는데, 그 앞을 가리는 ITO가 빛을 일부 먹는다는 뜻이다.

    해법은 중간층을 p형 고농도 도핑 비정질 실리콘과 n형 고농도 도핑 비정질 실리콘의 두 층으로 구성하는 것이다. 문서는 이렇게 하면 "제조 및 장비 비용이 크게 줄고" 광전류밀도와 변환효율이 개선된다고 쓴다. 헤테로접합 실리콘 셀은 어차피 비정질 실리콘 증착 장비를 쓰므로, 같은 장비로 중간층까지 만들겠다는 발상으로 읽힌다. 다만 "같은 장비"라는 표현은 문서의 직접 서술이 아니라 이 글의 해석이다.

    청구항 1이 실제로 잡은 범위

    청구항 1은 매우 길다. 셀이 실리콘 서브셀, 그 위에 적층된 페로브스카이트 서브셀, 둘 사이의 중간층으로 "이루어진다(consisting of)"고 쓰고, 중간층은 p형·n형 고농도 도핑 비정질 실리콘층으로 형성된다고 한정한다. 두께는 두 층 모두 1~30 nm다. 도핑 농도는 청구항 1 원문에서 p형 10¹⁸~10²⁰ cm⁻³, n형 10¹⁹~10²⁰ cm⁻³로 적혀 있다. 요약 부분에서는 두 층 모두 10¹⁸~10²⁰ 범위로 읽히는데, 청구항에서 n형 하한이 한 자릿수 높은 이유는 문서 안에서 확인하지 못했다.

    청구항 1은 이어서 두 가지 구조를 "또는"으로 묶는다. n-i-p 구조에서는 실리콘 셀 위에 p형, 그 위에 n형 비정질 실리콘이 놓이고 그 위에 전자수송층이 온다. p-i-n 구조에서는 순서가 뒤집혀 n형, p형 순으로 놓이고 그 위에 정공수송층이 온다. p-i-n 구조일 때 첫 번째 정공수송층은 산화니켈, 산화몰리브덴, PTAA, Spiro-OMeTAD, PEDOT:PSS 등 열거된 재료 가운데 하나 이상으로 만들고, 중간층과 직접 접촉해야 한다.

    종속항은 셋뿐이다. 청구항 2는 전극 금속(은·구리·금·알루미늄 등)과 투명도전층(ITO·IWO·FTO·IZO·AZO) 재료를, 청구항 3은 수송층이 p형·n형 반도체라는 점을, 청구항 4는 페로브스카이트 흡수층이 ABX3 구조이고 밴드갭이 1.5~1.85 eV라는 점을 한정한다.

    "consisting of"는 특허 청구항에서 열거한 구성 외의 요소를 배제하는 닫힌 표현이다. 청구항 1이 실리콘 셀과 페로브스카이트 셀의 층 순서를 아래부터 위까지 일일이 나열하고 있으므로, 권리 범위는 겉보기보다 좁을 수 있다. 이것은 청구항 문언에서 끌어낸 해석이며, 실제 권리 범위 판단은 심사 경과와 법원 해석에 달려 있다.

    표 1의 숫자를 대조하면

    실시예 1은 n-i-p 구조로 중간층이 p형 10 nm + n형 10 nm 비정질 실리콘, 흡수층은 MAPbI3 400 nm, 정공수송층 PTAA 50 nm, 은 전극 200 nm다. 비교예 1은 실리콘 셀 앞면의 p형 도핑 비정질 실리콘 위에 ITO 100 nm를 입힌 것으로, 나머지는 실시예 1과 같다. 실시예 2는 p-i-n 구조로 중간층 순서가 n형 10 nm + p형 10 nm이고, 흡수층은 Cs0.15FA0.85PbI2.5Br0.5 500 nm다. 비교예 2는 실시예 2에 대응하는 p-i-n 구조로, 앞면 n형 도핑 비정질 실리콘 위에 ITO 100 nm를 입혔다. 실시예 3과 4는 각각 실시예 1·2에서 은 전극과 ITO(상부 투명전극)를 니켈·IZO, 크롬·IWO로 바꾼 것이다.

    구분

    전류밀도 (mA/cm²)

    전압 (V)

    충전율

    효율 (%)

    비교예 1 (n-i-p, ITO 100 nm 중간층)

    17.8

    1.86

    0.76

    25.2

    실시예 1 (n-i-p, 도핑 a-Si 중간층)

    19.0

    1.92

    0.78

    28.7

    비교예 2 (p-i-n, ITO 100 nm 중간층)

    17.7

    1.85

    0.76

    24.8

    실시예 2 (p-i-n, 도핑 a-Si 중간층)

    19.1

    1.92

    0.79

    29.1

    실시예 3 (실시예 1에서 전극 Ni, 투명전극 IZO)

    18.8

    1.90

    0.78

    27.8

    실시예 4 (실시예 2에서 전극 Cr, 투명전극 IWO)

    18.9

    1.91

    0.77

    27.8

    비교예 1 대비 실시예 1의 효율 차이는 3.5%p, 비교예 2 대비 실시예 2는 4.3%p다. 전류밀도는 각각 1.2 mA/cm², 1.4 mA/cm² 높아졌는데, 이것이 배경에서 말한 "근적외선 흡수 손실 감소"와 맞아떨어지는 방향이다. 다만 전압과 충전율도 함께 올랐으므로, 효율 상승이 전류 개선만으로 설명되지는 않는다. 문서는 표 아래에 "p형·n형 고농도 도핑 비정질 실리콘층을 재결합 접합으로 쓰면 광전류밀도와 변환효율이 더 잘 개선된다"고만 적는다.

    검산해 보면 전류밀도×전압×충전율은 실시예 1이 28.45, 실시예 2가 28.97, 비교예 1이 25.16, 비교예 2가 24.89, 실시예 3이 27.86, 실시예 4가 27.80으로, 표의 효율과 0.25 이내에서 어긋난다. 충전율을 소수 둘째 자리까지만 적은 데서 오는 반올림 차이로 볼 수 있는 크기이지만, 표 자체는 어떤 값이 측정값이고 어떤 값이 계산값인지 밝히지 않는다.

    이 자료가 말하지 않는 것

    • 측정 조건이 없다. 셀 면적, 광원 스펙트럼, 온도, 인증기관 여부가 문서에 적혀 있지 않다. 특허 실시예의 효율은 학술지나 공인 인증 효율표와 같은 기준으로 비교할 수 없다.
    • 실시예 2의 29.1%는 흡수층 조성과 두께가 실시예 1과 다르므로, 실시예 1과 2 사이의 차이를 중간층 효과로 읽을 수는 없다. 중간층 효과는 같은 구조끼리(실시예 1 대 비교예 1, 실시예 2 대 비교예 2) 비교할 때만 읽힌다.
    • 안정성·수명·대면적 공정 데이터는 없다. 배경에서 말한 "공정비 절감"도 수치로 뒷받침되지 않는다.
    • 등록 특허라는 것은 심사관이 신규성·진보성 요건을 인정했다는 뜻일 뿐, 기술이 양산되거나 상용화됐다는 뜻이 아니다. 특허 문서의 성능 수치는 출원인이 제출한 것이며 제3자가 재현한 결과가 아니다.
    • 문서에 분할출원(US 19/019,421)이 2025년 1월 13일 기록돼 있으나, 그 내용은 확인하지 못했다.

    정리하면

    • US 12,238,946 B2는 2025년 2월 25일 등록됐고, 우선일은 2022년 3월 29일, 출원인은 중국 쉬안청의 Advanced Solar Technology Institute Xuancheng이다.
    • 핵심은 페로브스카이트/실리콘 탠덤 셀의 중간층을 ITO 대신 p형·n형 고농도 도핑 비정질 실리콘(각 1~30 nm)으로 구성하는 것이다.
    • 청구항은 4개이며, 청구항 1은 n-i-p와 p-i-n 두 구조의 층 순서를 닫힌 표현(consisting of)으로 나열한다.
    • 표 1에서 ITO 중간층 비교예는 25.2%(n-i-p)와 24.8%(p-i-n), 도핑 비정질 실리콘 중간층 실시예는 28.7%와 29.1%, 전극·투명전극 재료를 바꾼 실시예 3·4는 27.8%다. 같은 구조끼리의 전류밀도 차이는 1.2~1.4 mA/cm²다.
    • 측정 조건과 면적은 적혀 있지 않다.

    출처와 확인 범위

    • US 12,238,946 B2, Google Patents 영문 전문: https://patents.google.com/patent/US12238946B2/en — 서지사항, 배경, 요약, 청구항 1~4 전문, 실시예 1~4와 비교예 1·2의 구성, 표 1, 법적 상태·이력까지 확인. 도면과 중국어 원문(PCT/CN2023/081524)은 확인하지 않음.
    • 공개공보 US 2024/0244853 A1 (2024년 7월 18일) — 위 등록공보 페이지의 이력란에서 번호와 날짜만 확인. 공개공보 본문을 따로 열어 등록공보와 대조하지는 않음.
    • 분할출원 US 19/019,421 — 등록공보의 이력란에서 존재만 확인. 내용 미확인.

  • 특허 도면을 AI에 읽히고, 사람이 고친 뒤 다시 AI에 넘긴다 — 2026년 4월 공개된 미국 특허출원 US20260105771A1

    미국 특허출원 한 건이 2026년 4월 16일 공개됐다. 인공지능으로 이미지를 분석하고 그 결과로 데이터를 만드는 방법에 관한 출원인데, 적용 분야로 특허 출원 서류 작성을 든다. 특허 문서를 만드는 도구가 특허 출원의 대상이 된 셈이어서, 무엇이 어디까지 적혀 있는지 살펴볼 값어치가 있다.

    공개된 문서의 서지사항

    공개번호는 US20260105771A1, 제목은 “System and method for AI-assisted image analysis and data generation for patent applications”다. 출원인은 Solve Intelligence Inc이고, 발명자는 Sanjeevan Ahilan, Angus Parsonson, Chris Parsonson, Justin Doop 네 사람이다. 출원번호는 19/359,377, 출원일은 2025년 10월 15일이다. 우선일은 2024년 10월 16일이며, 같은 날 낸 미국 가출원 63/708,081의 이익을 주장한다. 구글 특허에 표시된 법적 상태는 계류 중(Pending)이다.

    출원이 설명하는 일곱 단계

    요약(Abstract)은 이 출원을 “인공지능을 이용해 이미지 분석에 기반한 데이터를 생성하는 방법”이라고 한 문장으로 정리한다. 명세서가 설명하는 절차는 이렇다.

    • 컴퓨팅 장치가 이미지를 획득한다
    • 그 이미지를 첫 번째 인공지능 모델에 제공한다
    • 첫 번째 모델이 분석 결과를 생성한다
    • 분석 결과를 사용자에게 제시한다
    • 사용자가 분석 결과를 수정하는 입력을 받는다
    • 수정된 분석 결과를 두 번째 인공지능 모델에 제공한다
    • 두 번째 모델이 수정된 분석 결과를 바탕으로 데이터를 생성한다

    눈에 띄는 지점은 다섯 번째다. 사람이 중간에 끼어들어 고치는 행위가 절차 안에 들어 있다. 처음부터 끝까지 자동으로 도는 구조가 아니라, 사람의 수정을 거친 결과를 다음 모델에 넘기는 구조다.

    다만 이 절차가 청구항에서 어느 범위로 청구됐는지는 이 글에서 확인하지 못했다. 아래 「이 글이 말하지 않는 것」에 적는다.

    왜 하필 도면부호인가

    명세서 설명에 따르면 첫 번째 모델이 하는 일에는 도면에서 도면부호(reference numeral)를 뽑아내고 각 부호에 이름을 붙이는 작업이 포함된다. 도면부호와 그 부호가 가리키는 요소의 이름이 잘못 짝지어지면 뒤이어 생성되는 설명에도 오류가 이어질 수 있다는 것이 출원의 설명이다. 이 대응표를 모델이 초안으로 만들고 사람이 검수하도록 한 지점에 이 출원의 무게가 실려 있다. 문서에 붙은 CPC 분류에도 기술 도면 인식(G06V30/422)과 지식재산 관리(G06Q50/184)가 들어 있다.

    미국은 특허 실무에서 AI 사용을 어떻게 다루나

    USPTO는 2024년 4월 11일 “Guidance on Use of Artificial Intelligence-Based Tools in Practice Before the USPTO”를 연방관보(89 FR 25609)에 실었다. 이 지침은 AI 도구를 썼다는 사실 자체를 청에 알릴 일반적 의무는 없다고 밝힌다. 다만 AI 사용에 관한 정보가 특허성 판단에 중요한(material) 정보에 해당하는 경우에는 37 CFR 1.56의 정보개시의무에 따라 제출해야 한다는 단서를 함께 둔다.

    또 서류에 서명해 제출하는 당사자에게는 37 CFR 11.18(b)에 따라 상황에 맞는 합리적 조사를 했다는 확인 책임이 있고, 지침은 “AI 도구의 정확성에 그저 의존하는 것은 합리적 조사가 아니다”라고 적었다. 제출 전에 사람이 내용을 검토해 오류와 환각을 바로잡아야 한다는 뜻이다. 위 출원이 절차에 사람의 수정 단계를 명시적으로 넣은 것과 방향은 같다. 다만 출원 문서가 이 지침을 근거로 그렇게 설계했다고 말하지는 않는다.

    이 2024년 지침은 지금도 USPTO의 AI 자료 안내 페이지에 실무자용 지침으로 걸려 있다. 다만 그 뒤에 나온 것이 있다. USPTO는 2025년 11월 AI를 사용한 발명의 발명자 인정(inventorship)에 관한 새 지침을 냈고, 요지는 AI를 썼든 쓰지 않았든 발명자를 정하는 법적 기준은 같다는 것이다. 2024년 2월에 나왔던 발명자 관련 지침은 현재 같은 페이지의 보관(Archive) 항목으로 옮겨져 “검토 중”으로 표시돼 있다. 이 글은 도구 사용 지침만 다루므로 발명자 문제는 더 파고들지 않는다.

    공개는 등록이 아니다

    미국 특허법 35 U.S.C. 122(b)(1)(A)는 출원을, 이익을 주장하는 가장 이른 출원일로부터 18개월이 지난 뒤 신속히 공개하도록 정한다. 같은 조 (b)(2)(B)(i)는 18개월 공개 제도를 둔 다른 나라에 출원하지 않겠다고 확인하는 경우 비공개를 신청할 수 있게 한다. 이 출원의 우선일 2024년 10월 16일에 18개월을 더하면 2026년 4월 16일이고, 실제 공개일과 같다(직접 계산한 값이다).

    공개는 심사가 끝났다는 뜻도, 권리가 생겼다는 뜻도 아니다. 이 문서의 상태는 여전히 계류 중이며, 심사 과정에서 청구항이 좁아지거나 거절될 수 있다.

    이 글이 말하지 않는 것

    이 글은 공개공보 한 건, 미국 특허법 조문 하나, USPTO의 행정 지침 하나, 그리고 USPTO의 AI 자료 안내 페이지를 근거로 삼았다. 35 U.S.C.는 의회가 만든 법률이고 연방관보에 실린 지침은 행정 지침이어서, 둘의 층위는 다르다.

    첫째, 청구항 본문을 확인하지 못했다. 구글 특허, 저스티아, 에스파스넷, PatentScope, USPTO 공개 검색 등 여러 경로를 시도했으나 청구항 영역을 열지 못했다. 그래서 이 글은 요약과 명세서 설명에 적힌 내용만 다뤘고, 청구항이 몇 개인지, 어느 범위까지 권리로 청구됐는지는 말하지 않는다. 명세서에 적힌 절차와 실제 청구된 권리범위는 다를 수 있다.

    둘째, 이 출원이 등록될지, 등록된다면 청구항이 어떤 모습일지는 알 수 없다. 공개는 출원 서류가 공중에 공개됐다는 사실일 뿐 등록도 상용화도 뜻하지 않는다.

    셋째, 선행기술을 조사하지 않았으므로 이 방법이 새로운지에 대해서는 아무 말도 할 수 없다.

    넷째, 출원인 회사의 규모와 제품, 실제 사용 현황은 확인하지 못해 다루지 않았다.

    다섯째, 한국 특허 실무에서 AI 사용이 어떻게 다뤄지는지는 이 글에서 확인하지 않았다.

    출처

  • BYD가 새로 공개한 전고체 특허 6건 — "양극 입자 둘레의 60%"라는 숫자의 의미

    기업의 다음 수를 알고 싶으면 보도자료 대신 특허를 보면 된다. 보도자료는 하고 싶은 말을 쓰지만, 특허는 실제로 풀고 있는 문제를 쓰기 때문이다.

    2026년 8월 초, 중국 BYD가 전고체 배터리 특허 6건을 새로 공개했다는 보도가 나왔다. 7월 말 별도의 특허 1건(CN122474592A)이 등록된 뒤 이어진 것이다.

    먼저 이 글의 근거를 밝힌다. 필자는 중국 국가지식산권국(CNIPA)의 공보 원문을 열람하지 못했다. 아래 내용은 매체 보도에 근거한다. 그 한계는 마지막에 자세히 적는다.

    전고체 배터리의 진짜 난관은 '접촉'이다

    전고체 배터리는 액체 전해질을 고체로 바꾼 배터리다. 불이 잘 안 붙고 에너지 밀도를 높일 수 있다는 게 장점으로 알려져 있다.

    문제는 액체를 고체로 바꾸는 순간 생기는 물리적 현실이다. 액체는 양극 가루 사이사이로 알아서 스며들지만, 고체는 그러지 못한다. 고체 가루와 고체 가루가 만나면 실제로 닿는 면적은 생각보다 작고, 닿지 않은 곳으로는 리튬 이온이 지나갈 수 없다. 충방전을 반복하며 부피가 미세하게 변하면 그나마 닿아 있던 면도 떨어진다.

    여기에 하나 더. 고체 전해질에는 크게 황화물계와 할로겐화물계가 있는데, 각각 장단점이 반대다. 그런데 이 둘을 섞으면 서로 화학 반응을 일으켜버린다.

    새로 공개된 특허 6건은 전부 이 두 문제에 붙어 있다.

    새로 공개된 6건

    소재·화학 4건

    공개번호

    내용

    CN122494747A

    두 전해질 사이에 이온은 통과시키되 화학 반응은 막는 중간층 삽입

    CN122494554A

    양극재와 황화물 전해질 사이 완충층. 양극층 발열량을 117 J/g 이하로 제한

    CN122494567A

    안쪽은 단결정, 바깥쪽은 다결정인 이중층 양극

    CN122494558A

    리튬 처리한 금속산화물·금속황화물·고체전해질의 3종 혼합

    제조·품질관리 2건

    공개번호

    내용

    CN122494552A

    이온성 액체 젖음제를 전극 층 안에 농도 구배를 두어 분포시켜 접촉 개선

    CN122494553A

    접촉 품질 지표 'Re' 도입. 양극 입자 둘레의 60% 이상이 전해질 입자와 닿아야 함

    ※ 7월 말 등록된 CN122474592A(작은 입자 할로겐화물 + 큰 입자 황화물 전해질 조합)는 이번 6건과 별개의 앞선 특허다. 다만 이번 6건이 그 위에 쌓이는 구조라 배경으로 알아둘 만하다.

    여기서부터는 필자의 해석이다

    위까지가 보도된 내용이고, 아래는 그것을 읽은 필자의 추론이다.

    앞의 네 건은 소재 레시피에 가깝다. 연구실에서 나오는 종류의 특허고, 경쟁사도 비슷한 걸 낸다.

    눈에 띄는 건 CN122494553A다. "양극 입자 둘레의 60% 이상이 전해질과 접촉해야 한다"는 건 소재 아이디어가 아니라 합격과 불합격을 가르는 검사 기준의 형태를 하고 있다. 이런 숫자는 실험실에서 몇 개 만들어보는 단계에서는 잘 나오지 않는다. 많은 수량을 찍어내며 불량을 걸러내야 할 때 필요해지는 지표다.

    CN122494552A의 '젖음제 농도 구배'도 성격이 비슷하다. 고체끼리 잘 안 닿는 문제를, 소재를 바꿔서가 아니라 미량의 액체를 남겨 공정으로 해결하겠다는 접근이다. 이론적으로 우아하진 않지만 공장에서는 이런 게 통한다.

    그래서 필자는 이 포트폴리오가 "되는지 확인하는 단계"보다 "어떻게 많이 만들 것인가" 쪽에 무게가 실려 있다고 읽는다. 다만 이건 추론이지, BYD가 양산 단계에 진입했다는 확인된 사실은 아니다. 특허는 계획과 실패한 시도까지 함께 담기는 문서라는 점도 감안해야 한다.

    시점에 대해서는, 배터리 전문 매체 libattery.net이 "BYD가 이중 전해질 양극 셀의 소규모 생산을 2027년에 시작하는 것을 목표로 한다"고 보도했다. electrive는 이를 전하면서 **"BYD가 이 생산 일정을 공식 확인한 바 없다"**고 덧붙였다.

    한국 입장에서 읽으면

    삼성SDI는 전고체 배터리 양산 목표를 2027년 하반기로 밝힌 바 있다. 같은 해를 두고 한쪽은 소규모 생산 시작이 보도되고, 다른 쪽은 하반기 양산을 목표로 내걸고 있다.

    숫자만 보면 한국이 앞서 있다. 다만 이 분야의 승부는 "만들 수 있느냐"에서 이미 "수율과 원가로 만들 수 있느냐"로 넘어가 있고, BYD의 이번 특허들이 그 지점을 다루고 있다는 점은 기억해둘 만하다.

    정리하면

    • 전고체 배터리의 병목은 에너지 밀도가 아니라 고체 사이의 접촉이다.
    • 새로 공개된 특허 6건은 접촉 안정성과 전해질 간 반응 억제에 집중돼 있다. 7월 말 등록된 CN122474592A는 이와 별개다.
    • 그중 2건은 소재가 아니라 공정·검사 기준의 형태를 띤다. 필자는 이를 대량 생산을 염두에 둔 단계로 읽지만, 이는 해석이다.
    • 2027년 소규모 생산 목표는 매체 보도이며 BYD가 공식 확인하지 않았다.

    출처와 확인 범위

    확인 범위 (중요) — 이 글은 CNIPA 공보 원문을 열람하지 못했다. 그리고 위 두 매체는 독립적인 교차 확인이 아니다. 6건의 공개번호와 기술 요지를 담은 것은 CarNewsChina뿐이며, 그 원 정보원은 배터리 전문 블로그 libattery.net이다. electrive는 CarNewsChina를 재인용했다. 따라서 이 글의 사실관계는 사실상 libattery.net 한 곳에 의존하고 있으며, 공보 원문으로 검증되기 전까지는 그 한계 안에서 읽어야 한다.

    특허 공보는 각국 특허청이 공개하는 행정 문서로 저작권 보호 대상이 아닙니다. 본 글은 공개 특허의 내용을 해설한 것으로 특정 종목에 대한 투자 판단이나 권유를 담고 있지 않습니다.